近期，中國科學院合肥物質院核能安全所科研人員在耐高溫核探測技術研究方面取得新進展，研究成果發表在核科學技術領域國際權威期刊 IEEE Transactions on Nuclear Science 上。 

　　基于寬禁帶半導體的新型輻射探測器具有耐高溫、抗輻照、低噪聲的優勢，在航空航天、聚變診斷、深地測井等應用場景中具有廣闊的應用前景。但是半導體探測器信號微弱，需要與前置放大器等前端電子學電路緊密連接才能達到較好的測量效果，而傳統硅（Si）半導體前置放大器難以耐受高溫環境，亟需研究開發新型耐高溫、低噪聲的前置放大器。 

　　針對這一課題，科研人員提出了采用寬禁帶半導體碳化硅（SiC）制造前置放大器的解決方案?？蒲腥藛T研究了碳化硅結型場效應管（SiC-JFET）在高溫下的放大性能和輸出噪聲變化；通過深入分析前置放大器輸入級晶體管對系統噪聲的貢獻，總結了溫度變化對噪聲的影響規律；利用TCAD仿真方法比較了基于Si和SiC的JFET在不同溫度下的電學特性和輸出噪聲，闡釋了性能變化規律和物理機制。 

　　研究結果顯示：相比于Si-JFET，SiC-JFET具有更好的溫度穩定性和更寬的工作溫度范圍；由于具有極低的柵極漏電流，SiC-JFET在300 K-675 K下時始終比相同結構Si-JFET具有更小的噪聲；當連接SiC探測器時，采用SiC-JFET的探測系統在溫度超過324 K或成形時間大于3.5 s時具有更低的噪聲。 

　　研究成果表明，SiC半導體在制造耐高溫低噪聲前端核電子學方面具備可行性和性能優勢，該研究工作為開發耐高溫前置放大器和探測——放大一體化探測系統開辟了新思路，有助于進一步推動耐高溫核探測與核電子學技術的發展。 

　　核能安全所博士研究生張銳為論文第一作者，陳思澤副研究員為通訊作者。上述研究工作得到了國家自然科學基金重大科學儀器研制項目和國家重點研發計劃項目的資助和支持。 

　　論文鏈接：https://ieeexplore.ieee.org/document/10234556 

　　

　　　　SiC-JFET的主要特性參數受溫度升高的影響更小 

　　　　采用SiC-JFET可以降低探測系統在高溫和長成形時間下的噪聲