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　　 7月6日，美國猶他大學材料系劉鋒教授訪問固體所并做學術報告。報告會由固體所副所長曾雉研究員主持。

　　 劉鋒教授的報告題目是“傳統半導體表面中狄拉克和拓撲態的理論研究”（Theory of Dirac and Topological States on Conventional Semiconductor Surfaces）。他提出在Si襯底上生長二維材料從而調控狄拉克態和拓撲態的創新性方案，并指出形成拓撲態不但需要強烈的旋軌耦合，而且費米能級處的軌道成分對此也有著重要的作用。他的研究發現，二維貴金屬原子（Au）在Si襯底上形成的拓撲態是由于sd²雜化所導致的，此類的雜化會形成類似Kagome的格子，通過調制不同的軌道，可以在三角格子上面產生拓撲態，并找到了相應的二維材料。此外，劉鋒教授還分享了他對科研和生活的一些感悟，在座的科研人員得到了很大的啟發。

　　劉鋒教授是國際著名材料物理學家，研究領域包括納米結構理論、納米材料和器件、表面與界面和薄膜生長機制及 計算材料物理等，是有機拓撲材料的發明人，也是應變引導的納米結構自主裝和納米力學構筑領域的主要開拓者之一。

　　                                                                                                      劉鋒教授作報告