6月13日，強磁場青年論壇第46講在交叉科研樓207會議室舉行。強磁場科學中心材料科學部研究員劉藝舟為大家帶來題為《從磁斯格明子到磁霍普夫子，跨越維度的拓撲磁結構》的學術報告。中心主任孫玉平、副主任張欣和青年職工及學生參加了活動，活動由材料科學部副主任陳峰主持。

報告首先明確了磁存儲技術的基本原理，即通過磁矩的排列方向對信息進行編碼。在傳統應用中，我們通常使用磁矩的單軸方向（例如“上”或“下”）來進行信息編碼，但實際上，材料中的磁矩可以指向任意方向，從而構成多種多樣的“磁結構”。在眾多磁結構中，有一些呈現出無規律的特征，而另一些特殊的磁結構則可以通過拓撲荷來進行精確分類，這些被稱為拓撲磁結構。報告著重介紹了兩種典型的拓撲磁結構：磁斯格明子和磁霍普夫子，從經典的二維拓撲磁結構—磁斯格明子出發，深入探討了其跨越空間維度形成的新型三維拓撲磁結構—磁霍普夫子。在詳細解析磁霍普夫子的基本特性之后，報告還進一步探討了其動力學模式和非線性動力學特性。報告結束后，劉藝舟和與會人員圍繞磁斯格明子、磁霍普夫子和拓撲磁結構等話題展開了熱烈的討論和交流。

劉藝舟，強磁場科學中心研究員。2017年于美國加州大學河濱分校獲博士學位。2018年至2023年分別在中國科學院物理研究所及日本理化學研究所（RIKEN）做博士后研究。主要研究方向為凝聚態磁學理論，如磁性系統中的拓撲磁結構、自旋動力學及輸運現象等。

劉藝舟作報告

報告會現場