近日，中國科學院合肥物質院固體所邵定夫研究員與美國內布拉斯加-林肯大學合作，系統研究了反鐵磁金屬界面效應誘導強自旋極化的物理機制，并提出了基于該機制的第三類反鐵磁隧道結設計原則，為構建高性能自旋電子學器件開辟了全新路徑。相關研究成果以發表于Cell出版社旗下物理學旗艦期刊 Newton。

隨著信息技術向更小尺寸、更高集成度和更低能耗方向持續發展，傳統依賴電子電荷的半導體器件正面臨摩爾定律的極限挑戰。自旋電子學通過同時調控電子的電荷與自旋自由度，被視為推動下一代信息器件發展的關鍵方向。反鐵磁材料因其無凈磁矩、零雜散場以及THz級超快磁動力學響應等優勢，能夠滿足后摩爾時代對器件小型化、高密度、低功耗、高速讀寫和高穩定性的多重需求，因而成為構建高性能自旋電子器件的理想候選體系。其中，基于量子隧穿效應的反鐵磁隧道結（AFMTJ）被認為是實現反鐵磁自旋電子學應用的核心器件結構。然而，傳統反鐵磁材料本身不具備宏觀自旋極化，如何實現可用于信息讀取的顯著隧道磁阻（TMR），一直是該領域亟待突破的關鍵難題。此前，研究者曾嘗試利用二維層狀反鐵磁絕緣體作為勢壘，通過外加磁場誘導其發生反鐵磁–鐵磁相變來實現隧道磁阻（圖1(A)）。盡管該方案已經有實驗報道，但由于這類材料的奈爾溫度普遍較低，嚴重制約了其在常溫環境下的實際應用。

邵定夫研究員團隊長期致力于反鐵磁自旋電子學的理論探索，在國際上較早提出并系統發展了基于反鐵磁金屬體效應的第二類反鐵磁隧道結機制（圖1(B)）。早在“交錯磁體”（altermagnet）概念提出之前，邵定夫研究員便提出了基于動量空間自旋極化的反鐵磁隧道磁阻方案(Nat. Commun. 12, 7061 (2021))，該方案已獲實驗證實。近期，團隊進一步提出非共線反鐵磁材料中“有效自旋極化”的新定義，成功解釋了在自旋不守恒條件下仍可利用相關材料實現顯著隧道磁阻的物理機制(Nat. Commun. 15, 10242 (2024))。此外，團隊還建立了基于實空間磁構型的自旋輸運分析框架，預言了A型/C型反鐵磁體中的奈爾自旋流(Phys. Rev. Lett. 130, 216702 (2023))以及支持單子格自旋輸運的X型反鐵磁體(Newton 1, 100068 (2025))（圖1(D-G)），為理解常規反鐵磁體與交錯磁體的自旋輸運行為提供了直觀圖像，并為第二類反鐵磁隧道結電極材料的篩選提供了理論依據。

在反鐵磁材料的應用中，界面處的交換偏置效應已被廣泛應用于磁存儲與傳感器領域，是其最成功的工業應用之一。然而，基于反鐵磁界面本身的自旋輸運效應仍未被充分認識。通過對實空間磁構型的深入分析與第一性原理計算，研究團隊發現，當反鐵磁體內部面外方向的自旋相關體效應被強烈抑制，且存在一個具有未補償磁矩的穩定界面時，界面處可產生顯著的自旋極化（圖1(H)）。這一機制不依賴材料本征的體效應，而是源于界面磁結構的局域對稱性破缺。

基于這一新機制，研究團隊提出了第三類反鐵磁隧道結的設計原則——通過界面效應而非體效應實現高效的自旋輸運（圖1(C)）。研究人員構建了以二維范德華A型反鐵磁金屬Fe?GeTe?為電極、非磁絕緣體BN為勢壘的隧道結模型。量子輸運模擬結果顯示，即便電極材料本身具有自旋簡并的能帶結構，其界面仍能產生顯著的自旋極化電流（圖2）。更重要的是，該效應不受電極厚度或層數奇偶性影響，進一步證實其源于界面機制。

當調控兩側電極奈爾矢量的相對取向時，器件表現出明顯的電阻切換行為：界面磁矩平行排列時呈現低阻態，反平行時為高阻態，計算所得隧道磁阻可達100%量級，與傳統依賴體效應方案的隧道磁阻相近，充分顯示了界面機制的實際應用潛力（圖3）。值得注意的是，由于奈爾矢量與界面磁矩的取向可能存在非一致性，此類器件的隧道磁阻可以表現出負值，這一獨特特征使其與其他類型的磁隧道結形成本質區別，也為新型邏輯與存儲功能的設計提供了新自由度。

目前，基于鐵磁相Fe?XTe?（X=Ge、Ga）的二維范德華磁性隧道結已在實驗中實現。借鑒現有制備工藝，通過引入Co元素摻雜，有望構建基于反鐵磁相(Fe,Co)?XTe?的AFMTJ原型器件。這類A型反鐵磁材料通常支持非對稱自旋軌道力矩和面內方向的奈爾自旋流等特性，為實現奈爾矢量與反鐵磁疇的高效電學調控提供了物理基礎，保障了器件的快速、低功耗寫入能力（圖4）。

該研究工作不僅在交換偏置之外揭示了反鐵磁材料的另一類重要界面效應，更打破了“缺乏體效應即無應用價值”的傳統認知，為拓展反鐵磁材料在自旋電子學中的應用邊界提供了全新視角。研究不僅為開發不依賴特定體效應的通用型反鐵磁器件提供了理論支撐，也為未來構建更高速、更高密度、更穩定的信息器件開辟了切實可行的技術路徑。

針對該研究工作，量子材料理論專家、芬蘭阿爾托大學Jose Lado教授與二維材料與器件實驗專家、瑞典查爾姆斯理工大學Saroj P. Dash教授在同期Newton期刊上發表了題為《反鐵磁未補償界面為范德華異質結帶來了全新機遇》的評述文章，對該工作給予高度評價，指出該研究“為自旋電子技術提供了新的設計范式（offering new design principles for spintronic technologies）” 。

固體所博士研究生楊柳、蔣媛媛為論文共同第一作者，固體所邵定夫研究員、郭瀟妍博士及內布拉斯加-林肯大學Evgeny Y. Tsymbal教授為論文共同通訊作者。該項研究得到了國家重點研發計劃、國家自然科學基金、中國科學院建制化科研平臺項目、中國科學院穩定支持基礎研究領域青年團隊計劃等的支持。

論文鏈接：https://doi.org/10.1016/j.newton.2025.100142

評述鏈接：https://doi.org/10.1016/j.newton.2025.100193

圖1. (A-C) 反鐵磁隧道結的三種基本類型；(D-G) 不同反鐵磁結構允許的自旋極化輸運特性（體效應）；(H) A型反鐵磁體未補償的界面磁矩支持具有宏觀自旋極化的隧穿電流。

圖2. 自旋簡并的A型范德華反鐵磁體Fe₄GeTe₂及其界面自旋極化。

圖3. Fe₄GeTe₂/BN/Fe₄GeTe₂反鐵磁隧道結的隧道磁阻。

圖4. 基于界面效應的第三類反鐵磁隧道結的讀寫方案示意圖。