具有寬帶探測能力的光電探測器在我們日常生活的許多領域中發揮著重要作用，并已廣泛應用于成像、光纖通信、夜視等領域。迄今為止，基于傳統材料的光電探測器如：GaN 、Si  和 InGaAs占據著從紫外到近紅外區域的光電探測器市場。然而，相關材料復雜的生長過程和高昂的制造成本阻礙了這些探測器的進一步發展。為了應對這些挑戰，人們一直在努力開發具有可調帶隙、強光-物質相互作用且易于集成的二維材料光電探測器。 

　　如今，許多二維材料如石墨烯、黑磷和碲等已經表現出優異的寬帶光探測能力。盡管如此，目前基于二維材料的高性能寬帶光電探測器數量仍然有限，特別是許多基于二維材料的光電探測器雖然表現出較高的光響應度和探測率，但響應速度較慢，這可能歸因于其較長的載流子壽命，這種較低的響應速度限制了二維光電探測器的實際應用。最近，石墨烯、黑磷和部分過渡金屬二硫屬化物（TMDs）范德華異質結器件已經展現出二維材料在高速寬帶光電探測領域的潛力。然而，石墨烯是一種零帶隙材料，黑磷在環境條件下并不穩定，TMDs異質結的制造工藝相對復雜，這些問題同樣限制了這些材料在光電探測領域的應用。 

圖1. 基于層狀InSiTe₃光電探測器的（a）光譜響應與 （b）已經報道的部分二維材料光電探測器的性能對比圖。