MXene是通過化學刻蝕MAX相化合物(M_n+1AX_n，M為前過渡金屬；A為主族元素；X是C或N元素；n = 1, 2, 3)中的“A”元素而制得的一類新型二維層狀材料。MXene由于具有豐富的物理和化學性質，不僅在電化學能量存儲、電磁屏蔽、傳感器、光/電催化等領域展現出極大的應用前景，而且在電子和光子器件方面（例如肖特基二極管、光電探測器、透明導電、電子接觸材料等）也表現出優異的性能。然而，由于MXene材料通常是通過化學刻蝕MAX相化合物的多晶粉末（尺寸小于38微米）而得，因此目前所得MXene材料的尺寸為微米級甚至更小，這就限制了其在電子和光子器件上的應用。如何獲得較大尺寸甚至具有宏觀尺寸的二維MXene材料，成為目前亟需解決的問題。 

　　為此，科研人員采用高溫助溶劑法生長了高品質毫米級 V₄AlC₃單晶，在室溫條件下利用氫氟酸有選擇性地刻蝕掉MAX相 V₄AlC₃單晶的Al層，成功制備了宏觀尺寸V₄C₃T_x MXene二維材料（如圖1所示）。該工作的開展不僅為V₄C₃T_x MXene本征光/電性質測試提供了材料基礎，而且為其它種類大尺寸MXene的制備提供了借鑒，也為MXene材料在電子和光子器件中的實際應用提供了可能性。 

　　本項研究工作得到了國家自然科學基金和中科院固體所所長基金的支持。 

　　文章鏈接：https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.inorgchem.9b03625 

　　圖1. 氫氟酸刻蝕V₄AlC₃單晶（左圖）為V₄C₃T_x MXene（右圖）； V₄AlC₃晶體結構示意圖（中圖）。