在鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)中，spiro-OMeTAD是最關鍵的空穴傳輸層(HTL)材料，其形貌結構和光電性質顯著影響著太陽能電池的空穴傳輸和收集能力，也對外界環境中的水氧向鈣鈦礦活性層滲透起著重要的阻擋作用，因此，spiro-OMeTAD對電池的效率和穩定性起著重要作用。為了提高spiro-OMeTAD的電荷輸運能力，通常需要摻雜雙三氟甲磺酰亞胺鋰(Li-TFSI)以介導氧氣與spiro-OMeTAD之間的反應產生更多的spiro-OMeTAD^？+TFSI^–自由基。但這種傳統的摻雜方法摻雜效率低，過量的Li-TFSI會殘留在spiro-OMeTAD薄膜中，導致薄膜形貌致密性和平整度以及薄膜的長期導電性變差；其次，氧化反應時長依賴于環境條件，通常需要10-24小時的時間才能達到合適的電導率和功函數，嚴重阻礙了鈣鈦礦太陽能電池的商業化發展。 

　　鑒于此，研究人員開發了一種可行的納米材料調控氧化策略，利用SnSO納米材料在前體溶液中將spiro-OMeTAD預氧化為spiro-OMeTAD^？+TFSI^–自由基以提高HTM的電導率、優化與鈣鈦礦的能級位置，獲得了24.5%的光電轉換效率。此外，研究發現SnSO納米材料調控的spiro-OMeTAD HTL具有無針孔、均勻、光滑的形貌，即使在高溫高濕條件下，其性能和形貌仍然相當穩定。另外，該氧化過程時間非常短（1-2小時），有利于提升電池的商業化制備效率。該研究為進一步提升PSCs的效率和穩定性提供了有效的策略，對推動PSCs商業化具有重要意義。